常帅介绍道，光刻机在工作过程中，要频繁地进行曝光。简单来说，就是用光线照射硅片，让未受掩模遮挡部分的光刻胶发生化学反应，这样才能将石英掩模上的电路图显影到硅片上，以便后续进行刻蚀、去胶等一系列工序。

　　“目前，主流制造商生产1枚芯片，可能需要进行4次，甚至更多次的曝光。若采用EUV光刻技术，只需1次曝光就够了，这样就可大幅降低生产制造成本。”孟令海说，换句话说，EUV光刻技术不仅提升了刻录的精细程度，也能让芯片的价格更便宜，符合摩尔定律对成本的要求。

　　不仅如此，EUV光刻技术之所以受到各大集成电路生产厂商的关注，还因为该光刻技术是传统光刻技术的拓展，能使现有生产工艺得以延续。

　　让摩尔定律至少再延续10年

　　既然EUV光刻技术好处多多，这么看来，为摩尔定律“续命”的重任，可以放心交给它了。

　　然而，事实并非如此。

　　常帅和孟令海介绍，目前来看，EUV光刻技术进展比较缓慢。同时，极紫外光刻光学系统的设计和制造也极其复杂，尚存在许多未被解决的技术难题。

　　据孟令海分析，EUV光刻技术目前主要面临三大挑战。

　　“首先是光源效率，即每小时能‘刻’多少片，按照量产工艺要求，光刻效率要达到每小时250片，而现在EUV光刻效率尚难达到这一要求，因此还需进一步提高，但实现难度相当大。其次是光刻胶，EUV光刻机和普通光刻机的技术原理不同，普通光刻机采用投影进行光刻，而EUV光刻机则是利用反射光，需要借助反光镜，这使得光子和光刻胶的化学反应变得不可控，有时会出现差错。最后是光刻机保护层的透光材料，要提高光刻机的刻录精度，就需要在其上面增加一个保护层，但现有保护层材料质量欠佳、透光性比较差。”孟令海说。

　　此外，据常帅分析，EUV光刻工艺的良品率也是阻碍EUV光刻发展的“绊脚石”。目前，采用一般光刻机生产的芯片，其良品率约为95%，而EUV光刻机的良品率仅为70%至80%。

　　“要想解决这些问题，关键是要提升市场订单数量，只有订单多了，厂商用得多了，才能吸引更多光源、材料等上下游企业共同参与研发，进而完善EUV光刻产业链。”常帅说。

　　即使在技术上达到要求，收益缺乏足够的吸引力，也很难让制造企业产生应用新技术的动力。目前看来，采用EUV光刻技术的生产成本十分高昂。

　　资料显示，最新的EUV光刻机价格或超过1亿欧元，是常规193纳米光刻机价格的2倍多。此外，由于功率极高，EUV光刻设备在生产时消耗的电量也远超现有同类机器。

　　那么，目前来看，EUV光刻技术能为摩尔定律的延续，起到哪些作用呢？

　　孟令海表示，在光刻线条宽度为5纳米及以下生产工艺中，EUV光刻技术具有不可替代性，在未来较长一段时间内，EUV光刻技术都可能成为延续摩尔定律发展的重要力量。“因此，如果解决了工艺技术和制造成本等难题，EUV光刻设备将是7纳米以下工艺的最佳选择，它可让摩尔定律至少再延续10年时间。”孟令海说。